Samsung vyvinul rychlejší NAND FLASH
zdroj: tisková zpráva

Samsung vyvinul rychlejší NAND FLASH

29. 6. 2006 22:22 | Hardware | autor: Redakce Games.cz |

Samsung oznámil dokončení vývoje 0,06 mikronového procesu pro výrobu OneNAND čipů FLASH.

Oproti technologii 0,07 mikronové mají nové čipy zvýšenou kapacitu, zdvojnásobenou z 1 Gb na 2 Gb a vylepšenou rychlost zápisu dat z 9,3 MB/s na 17 MB/s. Asi nemusím vysvětlovat, že potenciál pro uplatnění FLASH pamětí v počítačích budoucnosti je obrovský. Prakticky všechny důležité technologie, Intel Robson nebo hybridní pevné disky, uvažují o pamětech typu FLASH jako o vyrovnávací paměti cache. Počítají s ní i připravované Windows Vista a z této technologie by potom logicky mohli těžit i hráči.
Situace ale byla doposud poměrně komplikovaná. Ke zmíněnému účelu, tedy ke zrychlení nahrávání dat (a zvýšení spolehlivosti), se daly použít jenom dva druhy FLASH pamětí. NOR a NAND. Jenomže architektura NOR je nesmírně drahá a navíc má nevyrovnané parametry. Rychlost čtení je sice naprosto špičková, 256 MB/s, jenomže zápis je naopak nesmírně pomalý, pouhých 0,5 MB/s. Naopak obyčejné NAND paměti žádnými extra parametry neoplývají, čtení 27 MB/s na první pohled neohromí. Zápis 13 MB/s je ale o dost lepší, než u NOR. Samsung 70 nm OneNAND mají čtení 108 MB/s a zápis 9,3 MB/s a u 60 nm OneNAND je potom čtení stejné, 108 MB/s, ale zápis 17 MB/s. Pointa je v tom, že když se v jednom zařízení zkombinuje 8 takový čipu OneNAND, vznikne rychlost čtení 864 MB/s a rychlost zápisu 136 MB/s. A na tom už se dá stavět.

zdroj: DailyTech

cappy

Nejnovější články