Technický pokrok nabírá neskutečné obrátky, takže v podstatě nevíme, čemu se věnovat dřív. Asi před 8 dny oznámila společnost Freescale Semiconductor komerční dostupnost pamětí typu M-RAM. Předpokládám, že vám zkratka M-RAM nic neříká, ale je odvozena z anglického „ Magnetoresistive Random-Access Memory“. No a MRAM stojí za zmínku z jednoho prostého důvodu. Jde o paměti, které se chová jako Flash paměť, což znamená že dokáží uchovat uložená data bez přísunu elektrické energie. Jenomže narozdíl od nich jsou dvojnásobně rychlejší. Dokáží zapisovat data rychlostí 200 MB/s a stejnou rychlostí je i číst. Pro srovnání. Nedávno ohlášený 2 Gb 60 nm OneNAND čip od Samsungu se může pochlubit maximální rychlostí zápisu 17 MB/s a maximální rychlostí čtení 108 MB/s.
MRAM se někdy také říká "univerzální paměť". Díky svým specifickým vlastnostem se může chovat jako klasická RAM, do které jsou spuštěné programy nahrány klasickým způsobem z disku a ze které pak čte data procesor. A nebo se může chovat jako pevný disk, protože díky schopnosti uchovat data ho může zcela nahradit. V budoucnu by MRAM mohlo nahradit obě zařízení zároveň (pokud se ještě zvedne datová propustnost), ne jenom jedno, protože z řečeného vyplývá, že se MRAM mohou chovat jako jakýkoliv paměťový subsystém v počítači (snad vyjma cache procesoru). Oproti pevným disků jsou rychlejší a dokonce spolehlivější než Flash, protože Flash pamětí mají tu nevýhodu, že po určitém počtu cyklů (100 000 až 1 milion) ztrácejí schopnost uchovat data (ztrácí integritu).