Dokončil tak vývoj radikálního nového 0,032 mikronového výrobního procesu, který bude obsahovat High-K dielektrikum, kovové řídící elektrody (emitory) a napjatý křemík, kteréžto technologie by mohly dohromady umožnit dramatický růst výkonu procesorů. Přitom se očekává, že tato troj-rozměrná struktura tranzistorů umožní oproti současným, v podstatě dvou-rozměrným (snad by se ještě dalo říct rovinným, aby si to člověk mohl lépe představit), výrazně snížit spotřebu. Intel si od nového tranzistoru slibuje 45 procentní nárůst rychlosti a také 50 procentní redukci vnitřních ztrát oproti obdobným 0,065 mikronovým technologiím. To by mohlo mít za následek snížení spotřeby celého čipu o nějakých 35 procent. Vše založeno na předběžných měřeních.
Protože jde o technologii naprosto novou, neplánuje se její uvedení na nějaký bližší termín. Až na zmíněný rok 2009. Nadcházející procesory Intelu proto budou používat současnou 0,065 mikronovou technologii a v krátkém časovém horizontu potom 0,045 mikronovou, ovšem vyrobenou tradiční metodou, za použití normálních tranzistorů (tedy jestli se výraz "normální" dá vůbec v tomto případě použít). Protože nebudou potřeba žádné nové investice, ani do speciálních výrobních zařízení, ani do nových kapacit, je docela možné, že se celý proces urychlí. Také bude záležet na tom, s čím přijde IBM nebo AMD a jak rychle. Každopádně Intel tak pokračuje v "energy efficient performance philosophy" (filozofie energeticky efektivního výkonu) a nové tranzistory jsou jeho kritickou součástí.