Firma Samsung oznámila zahájení masové produkce pamětí GDDR6 jako první. Dostupnost vzápětí potvrdila i konkurence SK Hynix, ale pouze aktualizací svého datasheetu („Availability Now“), což na masovou výrobu nevypadá. Předpokládáme totiž, že v takovém případě by se společnost ráda pochlubila vydáním tiskové zprávy. Uvidíme, co v následujících dnech. V závěsu se pak drží Micron, který již výrobu také započal, ale start masové produkce ještě neohlásil.
Nové paměti GDDR6 podstatně zvyšují datovou propustnost oproti starším GDDR5, a to až více než 2×. Maximum platí pro Samsung, které se podařilo více než zdvojnásobit propustnost na pin: 18 Gb/s oproti 8 Gb/s u běžných GDDR5. Ostatní výrobci uvádí ve svých přehledech propustnost na pin od 10 do 14 Gb/s.
Samsungu se také jako jedinému výrobci podařilo zvýšit kapacitu jednoho čipu na 16 Gb (2 GB), což znamená, že na stejné ploše osadí 2× více paměti. A to vše při udržení standardního napětí 1,35 V. Samsung tak má tak momentálně nejpokročilejší GDDR6 v nabídce. Dobře vypadají také paměti Hynixu, která má čipy s rychlostí 12 Gb/s na pin se sníženým napětím 1,25 V, takže i při menší energetické náročnosti předeženou nynější produkci GDDR5X (11 Gb/s, 1,35 V). Více v tabulce níže.
| Samsung GDDR6 | SK Hynix GDDR6 | Micron GDDR6 | GDDR5 | ||||||||
| Kapacita/čip | 2 GB (16 Gb) | 1 GB (8 Gb) | 1 GB (8 Gb) | 1 GB (8 Gb) | |||||||
| Propustnost na pin (Gb/s) | 18 | 10 | 12 | 12 | 14 | 12 | 13 | 14 | 8 | ||
| Propustnost čipu (GB/s) | 72 | 40 | 48 | 48 | 56 | 48 | 52 | 56 | 32 | ||
| Napětí (V) | 1,35 | 1,25 | 1,35 | 1,25 | 1,35 | 1,35 | 1,35-1,55 | ||||
| Stav | masová produkce | „dostupné“ | vzorky | masová produkce | |||||||
Při zapojení 4 čipů Samsungu bychom získali celkem 8 GB GDDR6 paměti se 128bitovou sběrnicí a celkovou propustností 288 GB/s. Starší GDDR5 paměť se stejně širokou sběrnicí by přitom měla propustnost méně než poloviční, pouze 128 GB/s. GDDR6 od Samsungu ale překonává i novější paměti GDDR5X, které při rychlosti 11 Gb/s na pin dosahují na 128bitové sběrnici propustnosti 176 GB/s. Nárůst tak je o více než 60 %.
Rychlost nových čipů GDDR6 od Samsungu nejlépe vynikne ve srovnání s nyní dostupnými grafickými kartami (jen tak na okraj: spíše nedostupnými).
| 256bit GDDR6 (teor.) | 384bit GDDR6 (teor.) | Titan V HBM2 | Vega64 HBM2 | Titan XP GDDR5X | GTX 1080 GDDR5X | |
| Počet čipů | 8 | 12 | 3 | 2 | 12 | 8 |
| Propustnost na pin | 18 Gb/s | 1,7 Gb/s | 1,89 Gb/s | 11,4 Gb/s | 11 Gb/s | |
| Kapacita paměti | 16 GB | 24 GB | 12 GB | 8 GB | 12 GB | 8 GB |
| Šířka sběrnice | 256bit |
384bit |
3072bit | 2048bit | 384bit | 256bit |
| Celková propustnost | 576 GB/s | 864 GB/s | 652,8 GB/s | 483,8 GB/s | 547,2 GB/s | 352 GB/s |
Z tabulky je patrné, že taková teoretická GTX 2080 s 256bitovou sběrnicí by měla vyšší propustnost než nynější Titan XP nebo Vega 64 s HBM2 paměťmi. Při 384bitové sběrnici by pak padla i koruna Titanu V s 12GB pamětí HBM2.
Jsme zvědaví, kdy Nvidia (nebo jiní výrobci?) ohlásí grafické karty s GDDR6. Vzhledem k překvapivé dostupnosti nových pamětí by to mohla být rovnou následující generace.
